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臺積電羅鎮(zhèn)球:N3已獲約100份NTO 預(yù)計(jì)將成為高產(chǎn)量、長期運(yùn)行的制程節(jié)點(diǎn)

2025-11-20 12:27    來源: 云財(cái)經(jīng)    影響力評估指數(shù):16.91  
云財(cái)經(jīng)訊,2025集成電路發(fā)展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(ICCAD-Expo 2025)今日在成都舉行,臺積電(中國)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球表示,3nm是最終也是最優(yōu)異的FinFET技術(shù)。其透露,臺積電N3E已實(shí)現(xiàn)旗艦移動及HPC/AI產(chǎn)品的量產(chǎn),N3P已按計(jì)劃于2024年第四季度投產(chǎn),接替N3E。臺積電已提供多種N3變體以滿足特定應(yīng)用需求,N3X面向客戶端CPU,N3A面向汽車領(lǐng)域,N3C面向價(jià)值級產(chǎn)品。N3預(yù)計(jì)將成為高產(chǎn)量、長期運(yùn)行的制程節(jié)點(diǎn),截至2025年9月已獲得約100份NTO。